干法刻蚀Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的最新进展


Autoria(s): 朱洪亮
Data(s)

1989

Resumo

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中科院半导体所

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20529

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104902

Idioma(s)

中文

Fonte

朱洪亮.干法刻蚀Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的最新进展,科学通报,1989,34(22):1681

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文