InGaAs/GaAs应变异质结中的反常离子沟道效应

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Autoria(s): 吴春武; 殷士端; 张敬平; 肖光明; 刘家瑞; 朱沛然

Data(s)	1989
Identificador	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20519 http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104897
Idioma(s)	中文
Fonte	吴春武;殷士端;张敬平;肖光明;刘家瑞;朱沛然.InGaAs/GaAs应变异质结中的反常离子沟道效应,物理学报,1989,38(1):83
Palavras-Chave	#半导体物理
Tipo	期刊论文