氮化硅和氮氧化硅在俄歇电子谱分析中的电子束和离子束辐照效应

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Autoria(s): 陈维德; Bender H; Maes H E

Data(s)	1990
Identificador	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20435 http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104855
Idioma(s)	中文
Fonte	陈维德;Bender H;Maes H E.氮化硅和氮氧化硅在俄歇电子谱分析中的电子束和离子束辐照效应,半导体学报,1990,11(6):441
Palavras-Chave	#半导体材料
Tipo	期刊论文