GaInAs/AlGaAs应变量子阱结构的荧光特性

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Autoria(s): 王杏华; Laiho Reino

Data(s)	1990
Identificador	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20405 http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104840
Idioma(s)	中文
Fonte	王杏华;Laiho Reino.GaInAs/AlGaAs应变量子阱结构的荧光特性,半导体学报,1990,11(1):7
Palavras-Chave	#半导体物理
Tipo	期刊论文