含氮直拉硅中氧沉淀及伴生缺陷的特征
| Data(s) |
1990
|
|---|---|
| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:16:12导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:16:13Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6305.pdf: 48583 bytes, checksum: f2778d7bf3b73693a616647fc0c77b26 (MD5) Previous issue date: 1990 中科院上海冶金所;中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
吴晓初;朱键;施天生;祁明维;谭淞生;褚一鸣.含氮直拉硅中氧沉淀及伴生缺陷的特征,电子显微学报,1990,9(3):192 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
