MBE生长的GaAs1—xSbx／GaAs系中缺陷的研究
| Data(s) |
1990
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|---|---|
| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:16:12导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:16:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6304.pdf: 29192 bytes, checksum: 9fe4446385d5b3987e8b8ff2f608cece (MD5) Previous issue date: 1990 中科院半导体所;中科院物理所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
范缇文;阎春辉;郑海群;孔梅影;田连地;周玉清.MBE生长的GaAs1—xSbx／GaAs系中缺陷的研究,电子显微学报,1990,9(3):193 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
