静压下GaAs1—xPx:N(x≤0.88)中N等电子陷阱的束缚激子发光


Autoria(s): 糜东林; 郑健生; 颜炳章; 李国华; 汪兆平; 韩和相
Data(s)

1990

Resumo

国家自然科学基金

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20359

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104817

Idioma(s)

中文

Fonte

糜东林;郑健生;颜炳章;李国华;汪兆平;韩和相.静压下GaAs1—xPx:N(x≤0.88)中N等电子陷阱的束缚激子发光,厦门大学学报. 自然科学版 ,1990,29(5):510

Palavras-Chave #半导体物理
Tipo

期刊论文