MBE GaAs/GaP（001）异质外延层结构参数的X射线双晶衍射研究
| Data(s) |
1991
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| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:16:05导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:16:05Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6283.pdf: 128790 bytes, checksum: 698cf94aaa331c77164d7365e24eed1f (MD5) Previous issue date: 1991 国家自然科学基金 中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王春艳;王玉田;孔梅影.MBE GaAs/GaP（001）异质外延层结构参数的X射线双晶衍射研究,半导体学报,1991,12(8):513 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
