GaInAs/AlInAs多量子阱结构光学性质的研究


Autoria(s): 江德生; 李锋; 张永航; Ploog K
Data(s)

1991

Resumo

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中科院半导体所;德国马普固体所

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20327

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104801

Idioma(s)

中文

Fonte

江德生;李锋;张永航;Ploog K.GaInAs/AlInAs多量子阱结构光学性质的研究,半导体学报,1991,12(3):136

Palavras-Chave #半导体物理
Tipo

期刊论文