不同阱宽的InxGa（1-x）As/GaAs应变量子阱的压力行为
| Data(s) |
1991
|
|---|---|
| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:15:59导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:15:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6270.pdf: 185017 bytes, checksum: 29bdfec7bce78c4f8e6e1aa3aa893023 (MD5) Previous issue date: 1991 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李国华;郑宝真;韩和相;汪兆平.不同阱宽的InxGa（1-x）As/GaAs应变量子阱的压力行为,半导体学报,1991,12(3):177 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
