nμc-Si:H/SiOx/Ag隧道背面拉触对a-Si:H太阳能电池性能的影响


Autoria(s): 李海峰; 熊华; 刁宏伟; 郑怀德; 廖显伯
Data(s)

1991

Resumo

国家自然科学基金

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20315

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104795

Idioma(s)

中文

Fonte

李海峰;熊华;刁宏伟;郑怀德;廖显伯.nμc-Si:H/SiOx/Ag隧道背面拉触对a-Si:H太阳能电池性能的影响,半导体学报,1991,12(11):705

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文