LPCVD氮化硅膜中的氢含量及其对pH-ISFET敏感特性的影响

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Autoria(s): 陈克铭; 李国花; 吕惠云; 陈朗星

Data(s)	1991
Identificador	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20313 http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104794
Idioma(s)	中文
Fonte	陈克铭;李国花;吕惠云;陈朗星.LPCVD氮化硅膜中的氢含量及其对pH-ISFET敏感特性的影响,半导体学报,1991,12(12):721
Palavras-Chave	#半导体材料
Tipo	期刊论文