MOVPE生长GaAs薄层的线偏振光吸收系数的电流感生变化


Autoria(s): 王德煌; 王威礼; 李桂棠; 段树坤
Data(s)

1991

Resumo

于2010-11-23批量导入

zhangdi于2010-11-23 13:15:56导入数据到SEMI-IR的IR

Made available in DSpace on 2010-11-23T05:15:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6263.pdf: 83396 bytes, checksum: 78e1baa3b74508b275df50ccdd18eea8 (MD5) Previous issue date: 1991

清华大学;中科院半导体所

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20311

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104793

Idioma(s)

中文

Fonte

王德煌;王威礼;李桂棠;段树坤.MOVPE生长GaAs薄层的线偏振光吸收系数的电流感生变化,半导体学报,1991,12(10):641

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文