a-Si∶H中光致亚稳缺陷产生的弛豫过程:HCR和DCR模型的实验检验


Autoria(s): 刘国胜; 孔光临
Data(s)

1993

Resumo

国家自然科学基金

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20115

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104695

Idioma(s)

中文

Fonte

刘国胜;孔光临.a-Si∶H中光致亚稳缺陷产生的弛豫过程:HCR和DCR模型的实验检验,半导体学报,1993,14(5):325

Palavras-Chave #半导体物理
Tipo

期刊论文