Si(112)高密勒指数面的理论研究


Autoria(s): 张瑞勤; 吴汲安; 邢益荣
Data(s)

1993

Resumo

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山东大学;中科院半导体所

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20113

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104694

Idioma(s)

中文

Fonte

张瑞勤;吴汲安;邢益荣.Si(112)高密勒指数面的理论研究,半导体学报,1993,14(9):527

Palavras-Chave #半导体物理
Tipo

期刊论文