硅化物形成条件对Pt硅化物/硅势垒的影响


Autoria(s): 丁孙安; 许振嘉
Data(s)

1993

Resumo

对PtSi/N-Si和PtSi/P-Si两种肖特基势垒的形成条件与势垒高度之间的关系进行了详细研究。从理论上分析了在退火过程中引入的影响肖特基势垒特性的各种因素,同时指出了获得理想肖特基势垒的退火条件。

国家自然科学基金

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20077

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104676

Idioma(s)

中文

Fonte

丁孙安;许振嘉.硅化物形成条件对Pt硅化物/硅势垒的影响,红外与毫米波学报,1993,12(5):392

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文