GaAs中4d过渡杂质Mo与Pd的光电行为
| Data(s) |
1993
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|---|---|
| Resumo |
4d过渡杂质Mo、Pd在GaAs中分别引入E（0．42eV）、H（0．61eV）和E（0．66eV）、H（0．69eV）等能级。根据过渡杂质Mo和Pd在GaAs中的光电行为, 推测这些杂质在GaAs中不起有效复合中心的作用。图4参3 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
周洁;马红;卢励吾;韩志勇.GaAs中4d过渡杂质Mo与Pd的光电行为,红外与毫米波学报,1993,12(2):135 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
