单片集成式反应离子刻蚀沟槽耦合腔AlGaAs/GaAs激光器
Data(s) |
1993
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Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:14:53导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:53Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6128.pdf: 2303580 bytes, checksum: e8313c0c5ac724e5432fc1a30360e4a3 (MD5) Previous issue date: 1993 太原工业大学;北方交通大学;中科院半导体所 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
张石桥;谭叔明;庄婉如;杨培生;陈季英.单片集成式反应离子刻蚀沟槽耦合腔AlGaAs/GaAs激光器,中国激光,1993,20(3):161 |
Palavras-Chave | #半导体器件 |
Tipo |
期刊论文 |