Ar＋离子汪入对Ge/GaAs（100）异质结能带偏离影响的XPS研究

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Autoria(s): 徐世红; 刘先明; 朱警生; 麻茂生; 张裕恒; 徐彭寿; 许振嘉

Data(s)	1993
Identificador	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/20041 http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104658
Idioma(s)	中文
Fonte	徐世红;刘先明;朱警生;麻茂生;张裕恒;徐彭寿;许振嘉.Ar＋离子汪入对Ge/GaAs（100）异质结能带偏离影响的XPS研究,中国科学技术大学学报,1993,23(4):442
Palavras-Chave	#半导体材料
Tipo	期刊论文