形成优质Si＋注入SI-GaAs层的研究
| Data(s) |
1994
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|---|---|
| Resumo |
在GaAs集成电路研制中需要高电激活率、高迁率的n型薄层。该文研究了Si~+注入GaAs形成的n型层光电特性与材料参量、注入和退火条件的关系。结果表明材料生长中的杂质污染和缺陷对注入层电特性有直接影响。材料或退火过程中As和Ga的原子比[As]/[Ga]稍大时,注入层中电激活率和迁移率都高。实验还证明,~(29)Si~+注入时BF~+束流的影响会使注入层电激活率和迁移率下降。指出注入时剂量不宜过大,白光快速退火时温度不宜过高,一般在960℃ 5秒退火为佳。 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
李国辉;韩德俊;陈如意;姬成周;王策寰;夏德谦;朱红清.形成优质Si＋注入SI-GaAs层的研究,半导体学报,1994,15(1):40 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
