利用CBE技术在Si衬底上生长GaAs薄膜
| Data(s) |
1994
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|---|---|
| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:14:51导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:51Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6114.pdf: 257150 bytes, checksum: 6f036feed921f8fab771a95e41962059 (MD5) Previous issue date: 1994 中科院半导体所;英国利物浦大学 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
邢益荣;Joyce T B;Kiely C J;Goodhew P J.利用CBE技术在Si衬底上生长GaAs薄膜,半导体学报,1994,15(4):229 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
