Si NIPI结构中光伏响应的极性及与浅杂质有关的光跃迁
Data(s) |
1994
|
---|---|
Resumo |
对不同光照条件下Si NIPI结构的光伏效应进行了研究,并在正面光照时作了外加He-Ne激光连续照射前后的对比实验。结果表明, Si NIPI结构中存在Brum等预言的因光生载流子空间分离而产生的光伏效应,并且进一步从实验上证实了NIPI结构光伏极性是空间固定的。对外加激光连续照射前后结果的分析表明,Si NIPI结构的光伏效应中,实空间中的间接跃迁如电子空穴子带间跃迁不起主要作用,而主要取决于实空间中与浅杂质有关的直接或准直接跃迁。 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
罗昌平;江德生;李锋;庄蔚华;李玉璋.Si NIPI结构中光伏响应的极性及与浅杂质有关的光跃迁,半导体学报,1994,15(2):75 |
Palavras-Chave | #光电子学 |
Tipo |
期刊论文 |