GaAs/GaP界面的X射线掠入射衍射分析
| Data(s) |
1994
|
|---|---|
| Resumo |
用掠入射全反射X射线衍射,结合常规X射线衍射,对GaAs/GaP应变层界面进行了研究,给出了界面失配度、薄膜晶胞的畸变和界面弛豫等结构参数。结果表明掠入射衍射(GID)是测定半导体薄外延膜界面结构的有效工具。 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
崔树范;吴兰生;王观明;麦振洪;王春艳;王玉田;李梅;葛中久.GaAs/GaP界面的X射线掠入射衍射分析,半导体学报,1994,15(2):119 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
