（Pt及其硅化物）/硅界面的深能级研究
| Data(s) |
1994
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|---|---|
| Resumo |
利用深能级瞬态谱(DLTS), 详细研究了(Pt及其硅化物)/Si界面上存在的各种深能级缺陷中心,并分析了引起这些缺陷的原因及与界面原子结构的关系。 利用深能级瞬态谱(DLTS), 详细研究了(Pt及其硅化物)/Si界面上存在的各种深能级缺陷中心,并分析了引起这些缺陷的原因及与界面原子结构的关系。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:14:42导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6086.pdf: 452916 bytes, checksum: 0ed7e27983ac0e3b0053377627c6d089 (MD5) Previous issue date: 1994 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
丁孙安;许振嘉.（Pt及其硅化物）/硅界面的深能级研究,半导体学报,1994,15(3):149 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
