不掺杂GaAs膜近红外光吸收系数激光感生变化的实验研究
| Data(s) |
1994
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| Resumo |
报道MOVPE技术生长不掺杂GaAs膜,在He-Ne激光场作用下,其近红外光吸收系数变化的实验结果 报道MOVPE技术生长不掺杂GaAs膜,在He-Ne激光场作用下,其近红外光吸收系数变化的实验结果 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:14:41导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:41Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6082.pdf: 202626 bytes, checksum: 76979b40f25c50c2ed52a1c05ddc55f6 (MD5) Previous issue date: 1994 北京大学物理系;中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
王德煌;王威礼;李桂棠;庄婉如;段树坤.不掺杂GaAs膜近红外光吸收系数激光感生变化的实验研究,北京大学学报. 自然科学版,1994,30(5):575 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
