超晶格电子辐照缺陷的亚稳态特性
| Data(s) |
1994
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|---|---|
| Resumo |
用深能级瞬态谱(DLTS)系统地研究了GaAs(50A)/GaAlAs(50A)超晶格中的电子辐照缺陷,证实其亚稳态特性的存在,对其恢复温度、转变条件进行了研究,指出在体材料中不能观察到电子辐照缺陷亚稳态的原因。 用深能级瞬态谱(DLTS)系统地研究了GaAs(50A)/GaAlAs(50A)超晶格中的电子辐照缺陷,证实其亚稳态特性的存在,对其恢复温度、转变条件进行了研究,指出在体材料中不能观察到电子辐照缺陷亚稳态的原因。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:14:37导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6073.pdf: 264341 bytes, checksum: 376f91b94b58ff738a7cf396b2dc4af5 (MD5) Previous issue date: 1994 中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
封松林;周洁;卢励吾.超晶格电子辐照缺陷的亚稳态特性,红外与毫米波学报,1994,13(3):161 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
