GaAs/GaAlAs单量子阱光调制器电学行为
| Data(s) |
1994
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| Resumo |
利用导纳谱研究了GaAs/GaAlAs单量子阱光调制器的电学行为, 观察到了量子阱中电子或空穴子能带的“场致去局域化”的物理现象。 利用导纳谱研究了GaAs/GaAlAs单量子阱光调制器的电学行为, 观察到了量子阱中电子或空穴子能带的“场致去局域化”的物理现象。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:14:36导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6068.pdf: 161858 bytes, checksum: 967b79a6165d86e9ac0cda6c1e25aa52 (MD5) Previous issue date: 1994 中科院半导体所;中国科学技术大学北京研究生院 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
周洁;封松林;卢励吾;孙景兰.GaAs/GaAlAs单量子阱光调制器电学行为,红外与毫米波学报,1994,13(1):65 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
