硅直接键合界面附近的深能级研究
| Data(s) |
1994
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|---|---|
| Resumo |
利用扩展电阻探针(SRP)和深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究了直接键合的n-si/n~+-si界面附近的深能级.实验结果表明,在直接键合的n-Si/n~+-si一侧附近可观察到一个明显的电子陷阱E1(E_c-0.39eV),E1可能是由若干个能级位置相近的陷阱迭加而成的,其浓度在10~(13)-10~(14)cm~(-3)之间.它可能是与制备键合材料的高温(1000-1100℃)处理过中程产生的空位和热应力有关。 国家自然科学基金,省市基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
卢励吾;周洁;封松林;钱照明;彭青.硅直接键合界面附近的深能级研究,物理学报,1994,43(5):785 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
