赝高电子迁移率晶体管结构的光反射谱研究
| Data(s) |
1995
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|---|---|
| Resumo |
利用变温光反射谱和室温光伏谱研究了赝高电子迁移率晶体管结构中二维电子气的行为,发现二维电子气的屏蔽作用对低指数子带较为显著,而对较高子带则弱得多,同时带填充效应在不同温度下对临界点跃迁强度也有不同影响。 利用变温光反射谱和室温光伏谱研究了赝高电子迁移率晶体管结构中二维电子气的行为,发现二维电子气的屏蔽作用对低指数子带较为显著,而对较高子带则弱得多,同时带填充效应在不同温度下对临界点跃迁强度也有不同影响。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:14:29导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6044.pdf: 154284 bytes, checksum: 10b9a5725d6e6462121ef777fc1d4c3e (MD5) Previous issue date: 1995 中科院半导体所;北京师范大学物理学系 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘伟;江德生;张耀辉;金珊;王若桢.赝高电子迁移率晶体管结构的光反射谱研究,半导体学报,1995,16(2):139 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
