用低能离子束淀积技术在硅（111）衬底上生长氧化铈外延薄膜

采用质量分离的低能双离子束淀积(IBD)技术,在硅(111)衬底上共淀积,生长了氧化铈外延薄膜。椭圆偏振仪测得,膜厚2000A。俄歇能谱仪测得,外延层内铈、氧分布均匀,具有很好的正化学比。X射线双晶衍射得到明显的氧化铈(111),(222)峰,半高宽≤23''。