像势对量子阱中类氢杂质Stark效应的影响
| Data(s) |
1995
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|---|---|
| Resumo |
在考虑像势影响的情况下,利用变分方法计算了垂直电场下量子阱中类氢杂质的结合能,给出了像势引起的结合能增量随阱宽、杂质位置和电场的变化曲线.结果表明:考虑像势对量子阱中类氢杂质结合能及其Stark效应的影响是很必要的,而且自像势和互像势对类氢杂质结合能Stark效应的影响是相反的. 在考虑像势影响的情况下,利用变分方法计算了垂直电场下量子阱中类氢杂质的结合能,给出了像势引起的结合能增量随阱宽、杂质位置和电场的变化曲线.结果表明:考虑像势对量子阱中类氢杂质结合能及其Stark效应的影响是很必要的,而且自像势和互像势对类氢杂质结合能Stark效应的影响是相反的. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:14:27导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:27Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6038.pdf: 158601 bytes, checksum: 32b96ee81a5a8bf2e4d59e6c48952679 (MD5) Previous issue date: 1995 中科院半导体所;河北师范大学物理系 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
张向东;李有成;孔小均;魏成文.像势对量子阱中类氢杂质Stark效应的影响,半导体学报,1995,16(8):561 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
