室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器
| Data(s) |
1995
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|---|---|
| Resumo |
报道了室温连续激射的GaAs/GaAlAS新结构垂直腔面发射半导体激光器的最新研究结果。该器件结构是采用钨丝掩膜四次质子轰击方法制备的,这种方法是目前报道的垂直腔面发射激光器制作工艺中最简单的。对于直径15μm的钨丝,器件的最低值电流为17mA,最大光输出功率达4mW,微分量子效率高达65％。 报道了室温连续激射的GaAs/GaAlAS新结构垂直腔面发射半导体激光器的最新研究结果。该器件结构是采用钨丝掩膜四次质子轰击方法制备的,这种方法是目前报道的垂直腔面发射激光器制作工艺中最简单的。对于直径15μm的钨丝,器件的最低值电流为17mA,最大光输出功率达4mW,微分量子效率高达65％。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:14:26导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:26Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6035.pdf: 106601 bytes, checksum: 09a56a4cba0afc16271cdd5bb79915fe (MD5) Previous issue date: 1995 国家863计划 吉林大学;中科院半导体所 国家863计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
刘颖;杜国同;姜秀英;刘素平;张晓波;赵永生;高鼎三;林世鸣;康学军;高洪海;高俊华;王红杰.室温连续的新结构垂直腔面发射半导体激光器,半导体学报,1995,16(12):951 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
