量子阱激光器光增益温度关系及对激射特性的影响
| Data(s) |
1995
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|---|---|
| Resumo |
计算了不同温度下GaAs/AlGaAs量子阱材料光增益与载流子密度的关系。根据B-D条件:ΔF＞hγ≥E_g+E_(c1)+E_(v1),得到了ΔF、峰值增益光子能量和E_g+E_(v1)与载流子密度的关系,并得到了不同增益的激光器阈值电流温度关系。计算结果解释了实验出现的阈值电流温度的反常特性和波长开关现象,并且与器件温度特性符合。 计算了不同温度下GaAs/AlGaAs量子阱材料光增益与载流子密度的关系。根据B-D条件:ΔF＞hγ≥E_g+E_(c1)+E_(v1),得到了ΔF、峰值增益光子能量和E_g+E_(v1)与载流子密度的关系,并得到了不同增益的激光器阈值电流温度关系。计算结果解释了实验出现的阈值电流温度的反常特性和波长开关现象,并且与器件温度特性符合。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:14:25导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:25Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6032.pdf: 96853 bytes, checksum: 36d4202305b500fc2c227c22f9f1e5f9 (MD5) Previous issue date: 1995 国家863计划 中科院半导体所 国家863计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
张敬明;徐遵图;杨国文;郑婉华;钱毅;李世祖;肖建伟;徐俊英;陈良惠.量子阱激光器光增益温度关系及对激射特性的影响,半导体学报,1995,16(9):655 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
