SIPOS膜的结构组成

采用常压化学气相淀积(APCVD)方法,生长了不同氧含量的SIPOS(半绝缘含氧多晶硅)膜,研究了SIPOS膜的结构组成。SIPOS膜是微晶,多晶和共晶共存的结构,其晶态物中含有缺氧的α-Cristobalite(方石英)结构。膜中含氧量可变,以SiO_x(x＜2)表示。随着氧含量的增加或减少,其结构向非晶或多晶方向移动。膜中氧原子分布不均匀,局部有氧原子微区集中或缺少现象,使x=0或1或2。

采用常压化学气相淀积(APCVD)方法,生长了不同氧含量的SIPOS(半绝缘含氧多晶硅)膜,研究了SIPOS膜的结构组成。SIPOS膜是微晶,多晶和共晶共存的结构,其晶态物中含有缺氧的α-Cristobalite(方石英)结构。膜中含氧量可变,以SiO_x(x＜2)表示。随着氧含量的增加或减少,其结构向非晶或多晶方向移动。膜中氧原子分布不均匀,局部有氧原子微区集中或缺少现象,使x=0或1或2。

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zhangdi于2010-11-23 13:14:20导入数据到SEMI-IR的IR

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