NiIn（Ge）/n-GaAs欧姆接触的研究
| Data(s) |
1995
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|---|---|
| Resumo |
于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:14:20导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6016.pdf: 341700 bytes, checksum: 2976ca0c1f209560f9d03e428270905b (MD5) Previous issue date: 1995 五年计划 中科院半导体所 五年计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
范缇文;丁孙安;张金福;许振嘉.NiIn（Ge）/n-GaAs欧姆接触的研究,半导体学报,1995,16(7):541 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
