MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性研究

报道了用MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性实验研究。已得到77K温度下迁移率为16.2×10~4cm~2/(V·s)的GaAs材料。样品的Hall测量结果表明:在较低的杂质浓度范围(1×10~(13)cm~(-3)＜n＜1×10~(15)cm~(-3))内,在大体相同的生长温度(590℃左右)下,选择适当的生长速率Gr会增强对浅受主杂质的抑制作用,同时也会一致Si的自补偿效应,减小杂质的补偿度N_a/N_d之值,从而提高MBE外延GaAs材料的迁移率。

报道了用MBE生长轻掺Si高迁移率GaAs材料的杂质补偿特性实验研究。已得到77K温度下迁移率为16.2×10~4cm~2/(V·s)的GaAs材料。样品的Hall测量结果表明:在较低的杂质浓度范围(1×10~(13)cm~(-3)＜n＜1×10~(15)cm~(-3))内,在大体相同的生长温度(590℃左右)下,选择适当的生长速率Gr会增强对浅受主杂质的抑制作用,同时也会一致Si的自补偿效应,减小杂质的补偿度N_a/N_d之值,从而提高MBE外延GaAs材料的迁移率。

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zhangdi于2010-11-23 13:14:19导入数据到SEMI-IR的IR

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中科院半导体所