H原子吸附对Si（113）表面的影响
| Data(s) |
1995
|
|---|---|
| Resumo |
采用半经验分子轨道理论方法AM1研究用Si_(16)H_(21)模拟的Si(113)高指数表面及其吸附H原子的体系,得到生成热和表面原子上受力随吸附的变化。从生成热分析得知,Si(113)表面上形成Si─H_2吸附比Si─H容易,且为放热吸附;受力分析指出了表面原子再构发生的趋向,而吸附则引起趋向改变。 采用半经验分子轨道理论方法AM1研究用Si_(16)H_(21)模拟的Si(113)高指数表面及其吸附H原子的体系,得到生成热和表面原子上受力随吸附的变化。从生成热分析得知,Si(113)表面上形成Si─H_2吸附比Si─H容易,且为放热吸附;受力分析指出了表面原子再构发生的趋向,而吸附则引起趋向改变。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:14:12导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:14:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 6009.pdf: 191143 bytes, checksum: 1ad490a0e81f2b6f86cb713daf06a0ad (MD5) Previous issue date: 1995 国家自然科学基金 山东大学光电材料与器件所;中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
张瑞勤;吴汲安;邢益荣.H原子吸附对Si（113）表面的影响,半导体学报,1995,16(11):815 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
