GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的测定

介绍了用离子注入标样测定GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的方法,并将实验数据进行离子计数-浓度,溅射时间-深度转换后求得的特征值(C_(max)、R_p、ΔR_p)等与理论计算值进行比较,二者符合较好,其中C_(max)的SIMS测量值同LSS理论计算值和Monte Carlo模拟计算值之间的平均偏差分别为9％和27％。最后,对几种GaAs基的材料和器件进行氧的定量分析,获得了有益的结果。

国家自然科学基金