用逐层淀积法制备a-Si:H薄膜


Autoria(s): 潘广勤; 廖显伯; 王燕; 刁宏伟; 孔光临
Data(s)

1995

Resumo

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国家自然科学基金

中科院半导体所

国家自然科学基金

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19789

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104532

Idioma(s)

中文

Fonte

潘广勤;廖显伯;王燕;刁宏伟;孔光临.用逐层淀积法制备a-Si:H薄膜,电子学报,1995,23(5):77

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文