MBE CdTe/GaAs光致发光研究
| Data(s) |
1995
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|---|---|
| Resumo |
在10K低温下对分子束外延生长的CdTe（111）B/GaAs（100）和CdTe（211）B/GaAs（211）B外延膜进行了光致发光（PL）测量，得到了PL谱和带边激子辐射的精细结构。 在10K低温下对分子束外延生长的CdTe（111）B/GaAs（100）和CdTe（211）B/GaAs（211）B外延膜进行了光致发光（PL）测量，得到了PL谱和带边激子辐射的精细结构。 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:13:59导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:59Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5982.pdf: 315199 bytes, checksum: 414be1d8e1410222c1a3b7bfacdc5393 (MD5) Previous issue date: 1995 华北光电技术所;中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
陈世达;林立;何先忠;许继宗;罗昌平;徐仲英.MBE CdTe/GaAs光致发光研究,红外与毫米波学报,1995,14(3):189 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
