超导体/半导体界面处的电子相互作用-JOFET器件和Andreev反射


Autoria(s): 刘剑; 郑厚植; 徐士杰
Data(s)

1995

Resumo

介绍了低维系统物理与器件研究领域内最近兴起的一个十分引入注目的交叉学科课题:超导体/半导体/超导体双异质结结构中电子在超导体/半导体界面处的相互作用行为,包括超导邻近效应(proximity effect)及Josephson场效应晶体管(JOFET)的探索研究,此外,还讨论了此领域内一个重要物理问题----Andreev反射.

介绍了低维系统物理与器件研究领域内最近兴起的一个十分引入注目的交叉学科课题:超导体/半导体/超导体双异质结结构中电子在超导体/半导体界面处的相互作用行为,包括超导邻近效应(proximity effect)及Josephson场效应晶体管(JOFET)的探索研究,此外,还讨论了此领域内一个重要物理问题----Andreev反射.

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国家攀登计划

中科院半导体所

国家攀登计划

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19743

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104509

Idioma(s)

中文

Fonte

刘剑;郑厚植;徐士杰.超导体/半导体界面处的电子相互作用-JOFET器件和Andreev反射,物理,1995,24(9):539

Palavras-Chave #半导体物理
Tipo

期刊论文