超导体/半导体界面处的电子相互作用-JOFET器件和Andreev反射
Data(s) |
1995
|
---|---|
Resumo |
介绍了低维系统物理与器件研究领域内最近兴起的一个十分引入注目的交叉学科课题:超导体/半导体/超导体双异质结结构中电子在超导体/半导体界面处的相互作用行为,包括超导邻近效应(proximity effect)及Josephson场效应晶体管(JOFET)的探索研究,此外,还讨论了此领域内一个重要物理问题----Andreev反射. 介绍了低维系统物理与器件研究领域内最近兴起的一个十分引入注目的交叉学科课题:超导体/半导体/超导体双异质结结构中电子在超导体/半导体界面处的相互作用行为,包括超导邻近效应(proximity effect)及Josephson场效应晶体管(JOFET)的探索研究,此外,还讨论了此领域内一个重要物理问题----Andreev反射. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:13:54导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:54Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5971.pdf: 249688 bytes, checksum: 75dff869aa5367a22a23a8c5436bf948 (MD5) Previous issue date: 1995 国家攀登计划 中科院半导体所 国家攀登计划 |
Identificador | |
Idioma(s) |
中文 |
Fonte |
刘剑;郑厚植;徐士杰.超导体/半导体界面处的电子相互作用-JOFET器件和Andreev反射,物理,1995,24(9):539 |
Palavras-Chave | #半导体物理 |
Tipo |
期刊论文 |