锗硅合金半导体中无声子参与光跃迁机制研究
| Data(s) |
1996
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| Resumo |
研究了Si_1-xGe_x合金半导体中无声子参与光跃迁的产生机制,对由杂质无规分布引起的无声子参与光跃迁给出了一个物理模型.用此模型计算了光跃迁遇极矩,给出了跃迁偶极矩的上限.提出了未掺杂Si_1-xGe_x合金半导体中无声子参与光跃迁的一种跃机制,认为是Ge原子周围波函数畸变的集体行为. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
董文甫;王启明;杨沁清.锗硅合金半导体中无声子参与光跃迁机制研究,光学学报,1996,16(11):1641 |
| Palavras-Chave | #光电子学 |
| Tipo |
期刊论文 |
