窄发散角量子阱激光器的结构设计与分析
| Data(s) |
1996
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|---|---|
| Resumo |
对GaAs/AlGaAs量子阱结构激光器中重要的结构参数与远场垂直发散角的关系作了系统的理论计算与分析,提出了实现20°~30°垂直发散角的有效途径,并同时研究了对激光器的光功率限制因子、阈值电流密度等重要参数的影响. |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
杨国文;徐俊英;张敬明;徐遵图;陈良惠;王启明.窄发散角量子阱激光器的结构设计与分析,半导体学报,1996,17(7):500 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
