实用化GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器
| Data(s) |
1996
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|---|---|
| Resumo |
用低压MOVPE方法研制出了波长为655nm与670nm的GaInP-AIGaInP半导体量子阱可见光激光器，并已形成一定的批量生产能力。器件的阈值电流典型值为45mA，输出光功率不小于5mW，最高工作温度不低于50℃，预计20℃时寿命接近100000小时，主要技术指标与目前进口的同类产品水平相当，完全可以满足实用要求。 国家863计划 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
熊飞克;郭良科;马骁宇;杨志鸿;王树堂;陈良惠.实用化GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器,高技术通讯,1996,6(11):1 |
| Palavras-Chave | #半导体器件 |
| Tipo |
期刊论文 |
