四极SIMS对AlxGa1-xAs中Si的定量分析
| Data(s) |
1996
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| Resumo |
讨论了用MIQ-156四极SIMS仪器对Al_xGa_(1-x)As中Si进行定量分析的实验方法,考察了测量结果的重复性及x变化时Si RSF的变化规律,在IMS-4f SIMS仪器上进行了对比测试,用Cs~+源对~(29)Si的原子检测限达到4×10~(15)cm~(-3). 讨论了用MIQ-156四极SIMS仪器对Al_xGa_(1-x)As中Si进行定量分析的实验方法,考察了测量结果的重复性及x变化时Si RSF的变化规律,在IMS-4f SIMS仪器上进行了对比测试,用Cs~+源对~(29)Si的原子检测限达到4×10~(15)cm~(-3). 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:13:39导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:39Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5937.pdf: 403794 bytes, checksum: 7dda9dee0d076ae65fa54472e6fc8ce0 (MD5) Previous issue date: 1996 国家自然科学基金 清华大学电子工程系;中科院半导体所 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
姜志雄;查良镇;王佑祥;陈春华;陈新.四极SIMS对AlxGa1-xAs中Si的定量分析,半导体学报,1996,17(6):421 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
