利用快速热退火在n-GaAs上形成Ge/pdge欧姆接触
| Data(s) |
1996
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|---|---|
| Resumo |
利用Ge/Pd/GaAs结构和快速热退火工艺在n-GaAS上形成低阻的欧姆接触.研究了比接触电阻率与退火的温度和时间关系,400～500℃之间退火的欧姆接触的比接触电阻率为～10~(-6)Ω·cm~2.接触层的表面光滑、界面平整.利用俄歇电子谱(AES)和二次离子质谱(SLMS)揭示和讨论了比接触电阻率的欧姆接触形成的机理. 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
陈维德;谢小龙;崔玉德;段俐宏;许振嘉.利用快速热退火在n-GaAs上形成Ge/pdge欧姆接触,半导体学报,1996,17(10):784 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
