As+注入Si1-xGex中应就驰豫的双晶X射线衍射研究


Autoria(s): 邹吕凡; 王占国; 孙殿照; 何沙; 范缇文; 张靖巍
Data(s)

1996

Resumo

国家自然科学基金

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19655

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104465

Idioma(s)

中文

Fonte

邹吕凡;王占国;孙殿照;何沙;范缇文;张靖巍.As+注入Si1-xGex中应就驰豫的双晶X射线衍射研究,半导体学报,1996,17(12):946

Palavras-Chave #半导体材料
Tipo

期刊论文