大剂量氧注入硅中的再分布理论及其快速计算
| Data(s) |
1996
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|---|---|
| Resumo |
在大剂量氧注入硅形成SIMOX(separation by IMplanted OXygen)的物理过程分析基础上,根据单原子衬底注入过程中溅射产额与核阻止本领的本质联系,首次得到O~+对硅表面溅射产额与注入能量的简洁关系式,同时提出埋SiO_2中的氧将主要向上界面扩散,排除了以前的作者在研究SIMOX材料各层厚度时采用拟合参数引起的计算不确定性.在考虑了主要的大剂量注入效应,如体积膨胀、表面溅射、氧在SiO_2内的快速扩散等等,得到氧在硅中的深度分布,经过超高温退火,认为氧硅发生完全的化学分凝,据此设计出快速计算大剂量、高束流氧注入后的最终氧分布的模拟程序POISS(Program of Oxygen Implantaion intion Silicon Substrate),能够较为准确地反映SIMOX材料的特征厚度.本程序已用于该所的SIMOX材料研究制中. 在大剂量氧注入硅形成SIMOX(separation by IMplanted OXygen)的物理过程分析基础上,根据单原子衬底注入过程中溅射产额与核阻止本领的本质联系,首次得到O~+对硅表面溅射产额与注入能量的简洁关系式,同时提出埋SiO_2中的氧将主要向上界面扩散,排除了以前的作者在研究SIMOX材料各层厚度时采用拟合参数引起的计算不确定性.在考虑了主要的大剂量注入效应,如体积膨胀、表面溅射、氧在SiO_2内的快速扩散等等,得到氧在硅中的深度分布,经过超高温退火,认为氧硅发生完全的化学分凝,据此设计出快速计算大剂量、高束流氧注入后的最终氧分布的模拟程序POISS(Program of Oxygen Implantaion intion Silicon Substrate),能够较为准确地反映SIMOX材料的特征厚度.本程序已用于该所的SIMOX材料研究制中. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:13:32导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5919.pdf: 494117 bytes, checksum: f0712acb4cb6805ed1a525ebf1908c4a (MD5) Previous issue date: 1996 北京大学微电子所;中科院半导体所 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
奚雪梅;赵清太;张兴;李映雪;王阳元;陈新;王佑祥.大剂量氧注入硅中的再分布理论及其快速计算,半导体学报,1996,17(9):698 |
| Palavras-Chave | #半导体材料 |
| Tipo |
期刊论文 |
