缺陷俘获势垒测定新方法-瞬态光霍耳谱
| Data(s) |
1996
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| Resumo |
以瞬态光霍尔测量为基础,建立了观测俘获过程的深中心分析测试新手段.该方法不需要做肖特基结、p-n结、或MIS结构,几乎可在零电场下测量缺陷参数,克服电场、德拜带尾、非指数瞬态等对缺陷特性的影响,也克服了深能级瞬态谱技术(DLTS)只能通过载流子发射过程间接测量俘获参数的缺点.用此方法测量了Ga_(0.7)Al_(0.3)As中DX中心的俘获势垒. 以瞬态光霍尔测量为基础,建立了观测俘获过程的深中心分析测试新手段.该方法不需要做肖特基结、p-n结、或MIS结构,几乎可在零电场下测量缺陷参数,克服电场、德拜带尾、非指数瞬态等对缺陷特性的影响,也克服了深能级瞬态谱技术(DLTS)只能通过载流子发射过程间接测量俘获参数的缺点.用此方法测量了Ga_(0.7)Al_(0.3)As中DX中心的俘获势垒. 于2010-11-23批量导入 zhangdi于2010-11-23 13:13:29导入数据到SEMI-IR的IR Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5911.pdf: 256415 bytes, checksum: 379cee1a9e620428de8ead464d60231e (MD5) Previous issue date: 1996 国家自然科学基金 中科院半导体所;曲阜师范大学物理系;北京师范大学物理系 国家自然科学基金 |
| Identificador | |
| Idioma(s) |
中文 |
| Fonte |
封松林;王海龙;周洁;杨锡震.缺陷俘获势垒测定新方法-瞬态光霍耳谱,红外与毫米波学报,1996,15(1):1 |
| Palavras-Chave | #半导体物理 |
| Tipo |
期刊论文 |
