GeSi CVD系统的流体力学和表面反应动力学模型


Autoria(s): 金晓军; 梁骏吾
Data(s)

1996

Resumo

于2010-11-23批量导入

zhangdi于2010-11-23 13:13:28导入数据到SEMI-IR的IR

Made available in DSpace on 2010-11-23T05:13:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 5907.pdf: 385229 bytes, checksum: 8bc0cbffcee40a5bde03b3d53590b537 (MD5) Previous issue date: 1996

中科院半导体所

Identificador

http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19619

http://www.irgrid.ac.cn/handle/1471x/104447

Idioma(s)

中文

Fonte

金晓军;梁骏吾.GeSi CVD系统的流体力学和表面反应动力学模型,电子学报,1996,24(5):7

Palavras-Chave #光电子学
Tipo

期刊论文